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20이은경2021 NCS 반도체 종합패키지
Ⅰ. 프로그램 개요
1. 프로그램명 : 2021 학년도 “NCS 반도체 종합패키지 ”
2. 대상 : 재학생 3, 4 학년 108 명
3. 내용 : 렛유인 온라인 강의 및 에너지 융복합 전문 핵심연구지원센터 견학 , 실습
구분 | 차시 | 주요 대상 | 인원 | |
온라인 교육 (7 월 ) | 반도체 입문 | 9 차시 | 반도체 산업을 처음 준비하는 학생 | 40 |
반도체 공정 집중 과정 | 19 차시 | 반도체 공정에 대해 학습을 희망하는 학생 * 추천전공 : 화학 , 신소재 , 고분자 , 전기 , 전자 , 기계공학 | 40 | |
반도체 소자 집중 과정 | 18 차시 | 반도체 소자에 대해 학습을 희망하는 학생 * 추천전공 : 전기 , 전자 , 정보통신공학 | 28 | |
견학 / 실습 (8 월 ) | 반도체 제조공정 클린룸 견학 | 미정 | 반도체 산업을 준비하는 3, 4 학년 (온라인 교육 수료자 ) | 40 |
Photo lithography 실습교육 | 미정 | 반도체 공정에 대해 이해도를 높이고 싶은 4 학년 (온라인 교육 중 반도체 공정 과정 수료자 ) | 20 | |
Ⅱ. 프로그램 세부일정
1. 온라인 강의
강의명 | 차시 | 세부 강의 내용 | 강사명 |
반도체 기초완성 | 1 차시 | 반도체 개론 (1) | 유제규 |
2 차시 | 반도체 개론 (2) | ||
3 차시 | 반도체 산업 (1) | ||
4 차시 | 반도체 산업 (2) | ||
5 차시 | 반도체 공정 (1) | ||
6 차시 | 반도체 공정 (2) | ||
7 차시 | 반도체 공정 (3) | ||
8 차시 | 반도체 공정 (4) | ||
9 차시 | 반도체 소자 | ||
반도체 전공정 핵심이론 | 1 차시 | 반도체 기초 | 공지훈 |
2 차시 | 반도체 소자 기초 (1) | ||
3 차시 | 반도체 소자 기초 (2) | ||
4 차시 | 반도체 공정 기초 (1) | ||
5 차시 | 반도체 공정 기초 (2) | ||
6 차시 | Deposition &Metallization (1) | ||
7 차시 | Deposition &Metallization (2) | ||
8 차시 | Deposition &Metallization (3) | ||
9 차시 | Deposition &Metallization (4) | ||
10 차시 | Photolithography (1) | ||
11 차시 | Photolithography (2) | ||
12 차시 | Photolithography (3) | ||
13 차시 | Etching (1) | ||
14 차시 | Etching (2) | ||
15 차시 | Cleaning | ||
16 차시 | Layout / DNI &Oxidation (1) | ||
17 차시 | DNI &Oxidation (2) | ||
18 차시 | CMP | ||
19 차시 | Measurement &Inspection | ||
반도체 소자원리 핵심이론 | 1 차시 | 1.반도체 기초 이론 _① 물질 기초 이론 | 공지훈 |
2 차시 | 1.반도체 기초 이론 _②원자 모형과 공유 결합 | ||
3 차시 | 1.반도체 기초 이론 _③ Energy band 이론 | ||
4 차시 | 1.반도체 기초 이론 _④ 반도체의 정의 , ⑤ Doping 에 따른 반도체 특성 | ||
5 차시 | 1.반도체 기초 이론 _⑥ 캐리어의 이동 (Diffusion, Drift, Recombination - Generation) | ||
6 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _① Diode (1) PN | ||
7 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _① Diode (2)PN Diode, APPENDIX | ||
8 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _② BJT (1)기초 이론 | ||
9 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _② BJT (2)장점과 단점 | ||
10 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _② MOSFET (1) 정의 , 소자 , Ideal MOS Capacitor | ||
11 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _② MOSFET (2) Ideal MOS Capacitor | ||
12 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _② MOSFET (3) | ||
13 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _② MOSFET (4) MOSFET VS BJT | ||
14 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _③ 트랜지스터 응용 , 실제 소자 제작 및 구성 | ||
15 차시 | 2. 반도체 소자 기초 _④ 트랜지스터 - 실제 소자 제작 및 구성 | ||
16 차시 | 3. 반도체 소자의 다양한 응용 _① DRAM | ||
17 차시 | 3. 반도체 소자의 다양한 응용 _② SRAM, Flash meomory | ||
18 차시 | 3. 반도체 소자의 다양한 응용 _③Flash meomory, 4 가지 메모리 소자 비교 |
2. 견학 및 실습 프로그램
: 온라인 강의 수료자에 한해 에너지 융복합 전문 핵심연구지원센터와 연계한 견학
, 실습과정 제공 (8 월 진행 예정 , 수료자에 한해 문자 안내 )
프로그램 | 주요 내용 |
반도체 제조공정 클린룸 견학 | - 40 명 (8 인 1 조 , 5 타임 ) - 반도체 제조 공정 및 이용 장비 견학 - Yellow Room, CVD(MOCVD, PECVD, HVPE, TCVD), PVD(e-beam ecaporator, sputter, thermal evaporator), ALD, Annealing(RTA, Furnace) |
Photo lithography 실습교육 | - 20 명 (4 인 1 조 , 총 5 타임 ) - Yellow Room 내 spin coating, Hot plate, Mask Aligner, Wet Station 장비를 이용하여 실습 교육 진행 |
Ⅲ. 강사 이력
강 사 | 학력 및 이력 |
유제규 | 現 렛유인 반도체 부문 대표 선생님 총 29 년 경력의 대기업 반도체 수석연구원 출신 前 삼성전자반도체 선임연구원 14 년 (생산 , 제품기술담당 ) 前 페어차일드반도체 (외국계 ) 12 년 (파워소자개발 ) 前 삼성전자 LED 수석 연구원 3 년 (소자개발 ) |
공지훈 | 現 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 10 년 반도체온 /오프라인강의만족도 1 위 sky 대학전자과학사 /반도체공정석사 |
Ⅳ. 프로그램 신청
가 . 신청 기간 : 2021. 6. 20.(일 )까지
나 . 온라인 신청 : http://naver.me/FZKD1Mjl
다 . 선정 안내 : 프로그램 진행 2 일 전에 공과대학 홈페이지와 문자로 안내
라. 선정 기준: 지원자가 많을 경우 학점이 높은 순서대로 선발
마 . 문의처 : 530-1922(공대 7 호관 취업진로상담실 )
Ⅴ. 프로그램 혜택 및 주의사항
가 . 학교에서 지원하는 NCS 수료증 발급 유료과정으로 수료 가능한 인원만 신청바랍니다 .
(학생 무료 , 전액 학교 부담 )
나 . 수강기간은 7 월 한 달로 진행 차수의 70%를 이수해야 수료증이 발급됩니다 .
(전년도 공과대학 프로그램 미이수자 신청 불가 )
다 . 에너지 융복합 전문 핵심연구지원센터와 연계한 견학 , 실습과정 제공
라 . 온라인 강의를 수료한 학생에게 자기계발활동기록부 점수 제공
gmail.com